Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Министерство Российской Федерации по связи и информатизации
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им.проф. М.А.Бонч-Бруевича
Факультет вечернего и заочного обучения
Е.И. Бочаров
ЭЛЕКТРОНИКА
Программа, контрольное задание и методические указания
200900, 201000, 201100
Санкт-Петербург
2004

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике составляет ... руб

Контрольные задания

Задание 1
Задача 1.1
Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и масштабный коэффициент для всх вариантов равны R = 10 кОм и L = 4.
Требуется:
Провести графический расчет усилительного каскада и определить его основные параметры.

Задача 1.2
Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также масштабные коэффициенты N и M приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и масштабный коэффициент для всх вариантов равны R = 10 кОм и L = 4.
Требуется:
Провести аналитический расчет усилительного каскада на основе малосигнальной схемы замещения транзистора и определить его основные параметры

Задача 1.3
Схема усилительного каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом, включенном по схеме ОИ, приведена на рисунке 1.1. Значения элементов схемы, параметры входного сигнала и нагрузки, а также основные параметры управляющей характеристики транзистора приведены в таблице исходных данных. Внутреннее сопротивление генератора и сопротивление в цепи затвора для всех вариантов равны RГ =10 кОм и RЗ =1 МОм.
Требуется:
Провести аналитический расчет усилительного каскада и определить его основные параметры.

Задание 2
Задача 2.1
Схема электронного ключа на биполярном транзисторе приведена на рис. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N и M представлены в таблице исходных данных. Масштабный коэффициент L = 1 для всех вариантов. Семейства входных и выходных статических характеристик транзистора приведены на рисунках.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.

Задача 2.2
Схема электронного ключа на МДП-транзисторе приведена на рис. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N представлены в таблице исходных данных. Семейство выходных характеристик транзистора приведено на рисунке
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа.

Задача 2.3
Схема электронного ключа на комплементарной паре МДП-транзисторов приведена на рис. Напряжение источника питания и масштабный коэффициент N представлены в таблице исходных данных. Семейства выходных характеристик активного и нагрузочного транзисторов приведены на рис.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U0 и единицы U1, логического перепада UЛ, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U0П и U1П, коэффициент помехоустойчивости КП.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.

Задание 3
На рисунке представлена схема различных генератора прямоугольных импульсов на основе операционного усилителя. Номер схемы и значения ее элементов, а также способ напыления тонких пленок приведены для каждого варианта в таблице исходных данных. Обозначение выводов и размеры бескорпусного операционного усилителя приведены на рисунке.
Требуется:
Разработать топологию тонкопленочной гибридной интегральной схемы, реализующей данное устройство на основе бескорпусного операционного усилителя, и нарисовать чертеж топологии в масштабе 10:1.

В контрольной работе необходимо выполнить всего 3 задачи по варианту.

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ЭЛЕКТРОНИКА
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике ....

Контрольная работа

ЗАДАНИЕ 1
Задача 1.1
Схема электронного ключа на биполярном транзисторе приведена на рис. 1,а. Значения элементов схемы и масштабные коэффициенты N и M представлены в таблице исходных данных. Семейства входных и выходных статических характеристик транзистора приведены на рис. 2 и 3.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U⁰ и единицы U¹, логического перепада U_Л, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U⁰_П и U¹_П, коэффициент помехоустойчивости К_П.
3. Описать принцип работы ключа и указать, в каких базовых логических элементах он используется.
Задача 1.2
Схема электронного ключа на МДП-транзисторе приведена на рис. 1,б. Значения элементов схемы и масштабный коэффициент N представлены в таблице исходных данных. Семейство выходных характеристик транзистора приведено на рис. 4.
Требуется:
1. Построить статическую передаточную характеристику ключа.
2. Определить основные параметры ключа: уровни логических нуля U⁰ и единицы U¹, логического перепада U_Л, минимальные уровни отпирающей и запирающей помех U⁰_П и U¹_П, коэффициент помехоустойчивости К_П.
3. Описать принцип работы ключа.

ЗАДАНИЕ 2
На рис. 5 представлены схемы различных аналоговых устройств на основе операционного усилителя. Номер схемы и значения ее элементов, а также способ напыления тонких пленок приведены для каждого варианта в таблице исходных данных. Обозначение выводов и размеры бескорпусного операционного усилителя приведены на рис. 6.
Требуется:
Разработать топологию тонкопленочной гибридной интегральной схемы, реализующей данное устройство на основе бескорпусного операционного усилителя, и нарисовать чертеж топологии в масштабе 10:1.

Министерство Российской Федерации по связи и информатизации
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им.проф. М.А.Бонч-Бруевича
Факультет вечернего и заочного обучения
Б.Н. Пирогов
ЭЛЕКТРОНИКА
Методические рекомендации
210200
Санкт-Петербург
2000

Стоимость выполнения контрольной работы по электронике составляет ... руб

Контрольная работа

Задача 1
Дано: непериодический сигнал с периодом Т = 1 с
Определить:
- величину постоянной составляющей сигнала;
- амплитуды и начальные фазы первых пяти гармоник сигнала.
Восстановить исходный сигнал по полученным составляющим сигнала (восстановление осуществляется не менее, чем по двадцати одной точке в пределах периода сигнала).

Задача 2
Дано: пассивный четырехполюсник
Определить:
- передаточную характеристику по напряжению в комплексной и операторной формах;
- амплитудно-частотную характеристику;
- фазо-частотную характеристику;
- импульсную характеристику;
- переходную характеристику.

Задача 3
Дано: нелинейный четырехполюсник VD
Необходимо:
- записать функциональную характеристику, связывающую входное и выходное напряжения;
- рассчитать функциональную характеристику в диапазоне входных напряжений от -5 В до +5 В с шагом 1 В с максимальной погрешностью ε = 0,01;
- найти выходной сигнал, если на входе действует гармоническое колебание (при этом количество точек на период входного сигнала должно быть не менее 5).

Задача 4
Дано: активный фильтр второго порядка
Определить:
- передаточную характеристику по напряжению в операторном виде;
- передаточную характеристику по напряжению в комплексном виде;
- амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики (построить графики);
- функции чувствительности АЧХ и ФЧХ по заданному элементу αiкр (построить графики);
- критическое значение αiкр.

Задача 5
Дано: дискретно-аналоговый преобразователь
Определить;
- разностное уравнение;
- передаточную функцию;
- нули и полюсы передаточной функции;
- амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики фильтра;
- импульсную характеристику.

Задача 6
Дано: логическая функция задана картой Карно на четырех входных аргументах х1, х2, х3, х4
Необходимо:
- построить таблицу истинности;
- найти минтермы и макстермы;
- определить структурную формулу в СНКФ и СНДФ, упростить формулу, используя законы алгебры логики и следствий из них;
- определить структурную формулу по карте Карно;
- построить структурную схему с использованием элементов И, ИЛИ и НЕ.

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста 1 по разделу 2 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест 1 по разделу 2 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Укажите три схемы усилительных каскадов наименее чувствительные к разбросу параметров транзистора

схемы 1,2,3
схемы 2,1,4
схемы 1,3,4
схемы 2,3,4

Укажите простейшую схему генератора стабильного тока на биполярном транзисторе.

Укажите схему усилительного каскада с динамической нагрузкой

Укажите рабочую точку транзисторного генератора стабильного тока

точка 1
точка 2
точка 3
точка 4

Укажите составной p-n-р-транзистор, включенный по схеме Дарлингтона

Укажите формулу для коэффициента усиления по току KI приведенной на рисунке схемы усилительного каскада.

K_I ≈ α
K_I ≈ β
K_I ≈ α+1
K_I ≈ β+1

Укажите формулу для коэффициента усиления по току K_I приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общим коллектором

K_I ≈ α·β
K_I ≈ α+1
K_I ≈ β+1
K_I ≈ S·R_K

Укажите формулу для коэффициента усиления по току KI приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общей базой

K_I ≈ α
K_I ≈ β
K_I ≈ α+1
K_I ≈ β+1

Укажите два рисунка, на которых транзистор включен по схеме с общим коллектором

Укажите формулу для входного сопротивления rВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе 

r_ВХ=R_C
r_ВХ=R₃
r_ВХ→0
r_ВХ→1

Почему в микросхемотехнике используют схемы сдвига уровня, а не разделительные конденсаторы?
1. потому, что микроэлектронные конденсаторы большой емкости слишком дорогие
2. для повышения стабильности схем
3. потому, что реализация конденсаторов значительной емкости в микроэлектронике невозможна технологически
4. для повышения верхней граничной частоты

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению KU приведенной на рисунке схемы усилительного каскада

Укажите составной транзистор по схеме Шиклаи, выполняющий функцию p-n-р-транзистора

Укажите составной транзистор по схеме Шиклаи, выполняющий функцию n-р-n-транзистора

Укажите причину накопления постоянной составляющей напряжения в многокаскадных усилителях с непосредственной связью между каскадами.
1. для обеспечения активного режима потенциал коллектора n-p-n- транзистора в каждом каскаде должен быть больше, чем потенциал базы
2. наличие напряжения переменного сигнала, добавляющегося к напряжению смещения
3. нелинейность передаточной характеристики усилительных каскадов
4. инерционность реальных усилительных каскадов

Укажите схему усилительного каскада с коллекторной стабилизацией

Укажите схему усилительного каскада с фиксированным током эмиттера.

Какую роль выполняет динамическая нагрузка в усилительном каскаде?
1. роль реальной нагрузки (получателя сигнала)
2. роль схемы сдвига потенциального уровня
3. роль высокоомногоколлекторного (блокирующего)резистора
4. роль элемента, дифференцирующего сигнал

Назовите два основных метода сдвига потенциальных уровней в многокаскадных усилителях с непосредственной связью между каскадами?
1. емкостной делитель напряжения
2. линейный резистивный делитель напряжения
3. чередование каскадов на n-p-n- и p-n-p-транзисторах
4. нелинейный делитель напряжения

Почему токозадающий резистор применяется для стабилизации тока только в маломощных цепях?
из-за отсутствия усиления по напряжению

из-за температурной нестабильности токозадирающего резистора

из-за низкого КПД

из-за отсутствия усиления по току

Укажите приближенную формулу для коэффициента передачи тока базы β составного транзистора

β≈β₁+β₂

β≈β₁·β₂

β≈1+β₂/β₁

β≈1+β₁/β₂

Укажите три схемы, обеспечивающие сдвиг потенциального уровня

Укажите формулу для коэффициента передачи по напряжению K_U приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общим коллектором

K_U ≈ 1

K_U ≈ β

K_U ≈ α+1

K_U ≈ β+1

Укажите схему усилительного каскада с фиксированным током базы

Укажите три преимущества транзисторного генератора стабильного тока по сравнению с токозадающим резистором

меньше напряжения питания

меньшая стоимость

больший КПД

возможность регулирования тока нагрузки

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе

Укажите приближенную формулу коэффициента стабилизации тока K_СТ с помощью токозадающего резистора R₀

Как динамическая нагрузка позволяет выбирать величину реальной нагрузки усилительного каскада?

позволяет увеличить нагрузку

позволяет использовать реактивную нагрузку

позволяет уменьшить нагрузку

не влияет на оптимальную величину нагрузки

Укажите формулу для коэффициента передачи по напряжению K_U привиденного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе

Как изменяется пороговое напряжение составного транзистора по сравнению с пороговым напряжением одиночного транзистора?

уменьшается в 1,5 раза

увеличивается в 2 раза

остается неизменным

уменьшается в 2 раза

Укажите два рисунка, на которых транзистор включен по схеме с общим эмиттером

Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе

Укажите рисунок, на котором транзистор включен по схеме с общей базой

Укажите формулу для входного сопротивления r_ВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на полевом транзисторе

r_вх → 1

r_вх → 0

r_вх = R_З

r_вх = R_С

Почему схема генератора стабильного тока типа «токовое зеркало» особенно эффективна в микроэлектронном исполнении?

потому, что потребляется очень малый ток

потому, что малы размеры элементов

потому, что меньше значения пороговых напряжений транзисторов

потому, что идентичны параметры транзисторов

Укажите приближенную формулу коэффициента стабилизации тока KСТ транзисторного генератора стабильного тока

Укажите формулу для входного сопротивления rВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе

r_вх → 0

r_вх = R_З1 || R_З2

r_вх = R_С

r_вх → 1 

Почему граничная частота n-p-n-транзистора выше граничной частоты p-n-p-транзистора?

потому, что ширина базы n-p-n-транзистора больше ширины базы p-n-p-транзистора

потому, что эффективная масса электронов больше эффективной массы дырок

потому, что подвижность дырок выше подвижности электронов

потому, что подвижность электронов выше подвижности дырок

Как изменяется входное r_ВХ и выходное rвых составного транзистора по сравнению с аналогичными параметрами одиночного транзистора?

r_ВХ - увеличивается, r_ВыХ - уменьшается

r_ВХ - увеличивается, r_ВыХ ​- увеличивается

r_ВХ - уменьшается, r_ВыХ ​- увеличивается

r_ВХ - уменьшается, r_ВыХ ​- уменьшается

Укажите простейшую схему генератора стабильного тока на полевом транзисторе

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения on-line теста по разделу 1 уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Ответы на тест по разделу 1 по Электронике выложены у нас на сайте.
Стоимость за ответ указана напротив каждого вопроса.

Укажите технологическую операцию, с помощью которой создается база вертикального биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем?
диффузия
фотолитография
эпитаксия
травление

В чем заключается основное преимущество биполярного транзистора с диодом Шоттки по сравнению с базовым биполярным транзистором в цифровых схемах?
в более простой технологии изготовления

в более высоком быстродействии вследствие исключения возможности перехода транзистора в режим насыщения

в более высокой температурной стойкости

в более высоких усилительных свойствах

Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки.

Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью?
полупроводниковые интегральные схемы
тонкопленочные гибридные интегральные схемы
вакуумные интегральные схемы
толстопленочные гибридные интегральные схемы

Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупро-водниковых интегральных схем.
на основе структуры «металл-диэлектрик-полупроводник»
на основе поликристаллического кремния
на основе p-n-перехода
на основе диоксида кремния

Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по эпитаксиально-планарной технологии.

Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по изопланарной технологии.

Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного горизонтального p-n-p-транзистора.

Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность?
фотолитография
электронно-лучевая литография
рентгеновская литография
ионно-лучевая литография

Укажите вариант диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, который позволяет обеспечить максимальное быстродействие диода.

Укажите два вида технологии, используемых для создания гибридных интегральных схем.
транзисторная
нанотехнология
пленочная
полупроводниковая

Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.

Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.

Укажите две основные области применения гибридных интегральных схем.
экстремальные климатические условия
мощные устройства
цифровая электроника
диапазон сверхвысоких частот (СВЧ)

Укажите три недостатка интегральных конденсаторов
низкая удельная емкость интегральных конденсаторов

малые размеры интегральных конденсаторов

большое сопротивление нижней обкладки интегральных конденсаторов

нелинейная зависимость ёмкости интегральных конденсаторов от приложенного напряжения

Укажите различие между элементами и компонентами интегральных схем.
элементы могут быть выделены как самостоятельное изделие, а компоненты – не могут

компоненты могут быть выделены как самостоятельное изделие, а элементы – не могут

элементы реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а компоненты – не реализуют

компоненты реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а элементы – не реализуют

Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)?
K=lgN
K=lnN
K=lg(N+1)
K=ln(N+1)

Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью обратно смещенного p-n-перехода.

Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике

Укажите рисунок, на котором показана комбинированная изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем, сочетающая изоляцию с помощью диэлектрика и обратно смещенного p-n-перехода.

Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью диэлектрика

Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом диффузии?

Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?

Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы?
потому, что методы интегральной технологии не позволяют создавать конденсаторы емкостью более нескольких сотен пикофарад

потому, что интегральные конденсаторы имеют ограниченный срок службы

потому, что методы интегральной технологии не обеспечивают необходимую точность изготовления конденсаторов

потому, что интегральные конденсаторы имеют большой температурный коэффициент емкости

Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
аналоговые
цифровые
полупроводниковые
гибридные

Укажите толщину пленок гибридных интегральных схем, соответствующую элементам тонкопленочных и толстопленочных схем
более 100 мкм - для толстопленочных схем
более 1 мкм - для толстопленочных схем
менее 0,01 мкм - для тонкопленочных схем
менее 1 мкм - для тонкопленочных схем

Укажите два варианта диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, которые позволяют обеспечить максимальное пробивное напряжение диода.

Укажите две причины, по которым надежность интегральных схем значительно выше, чем схем аналогичной сложности на дискретных элементах?
потому, что длина соединительных проводников в интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах на дискретных элементах

потому, что габариты и масса интегральных схем значительно ниже, чем схем на дискретных элементах

потому, что качество контактов в интегральных схемах значительно выше, чем в схемах на дискретных элементах

потому, что число контактов в интегральных схемах значительно меньше, чем в схемах на дискретных элементах

Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом ионного легирования?

Укажите два основных преимущества вертикальных структур биполярных транзисторов полупроводниковых интегральных схем по сравнению с горизонтальными.
более высокие усилительные свойства
более высокая температурная стойкость
более высокое пробивное напряжение
более высокое быстродействие

Почему базовые биполярные транзисторы полупроводниковых интегральных схем называются вертикальными?
потому, что скрытый n⁺-слой расположен наже коллекторного эпитаксиального слоя

потому. что электроны пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)

потому, что дырки пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)

потому, что коллекторный эпитаксиальный слой расположен на поверхности подложки

Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым?
потому, что интегральные элементы расположены на общей подложке

потому, что размеры интегральных элементов очень малы

потому, что интегральные элементы изолированы от подложки

потому, что для создания интегральных элементов используется групповая технология

Чем объясняются более высокие усилительные свойства и быстродействие вертикальных биполярных транзисторов по сравнению с горизонтальными?
тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, тормозящее электроны, движущиеся через базу

тем, что в базе вертикального транзистора электроны не преодолевают тормозящего действия электрического поля

тем, что примесь в базе вертикального транзистора распределена неравномерно, в результате чего в ней возникает электрическое поле, ускоряющее электроны, движущиеся через базу

тем, что подвижность электронов в вертикальных транзисторах оказывается выше, чем в горизонтальных

Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.

Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми?
потому, что границы между областями структуры вертикальных транзисторов дрейфуют в пространстве при изменении различных факторов

потому, что статические характеристики вертикальных транзисторов имеют значительный температурный дрейф

потому, что в базе вертикальных транзисторов имеет место эффект насыщения дрейфовой скорости электронов

потому, что электрическое поле, возникающее в базе из-за неравномерного распределения в ней примеси, ускоряет электроны, движущиеся через базу, т.е. придает им дрейфовую составляющую скорости

Чем определяется плотность упаковки интегральной схемы?
количеством активных элементов, приходящихся на единицу площади подложки

выражением K=lnN, где N - количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы

выражением K=lgN, где N - количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы

количеством элементов и компонентов, приходящихся на единицу площади подложки

Укажите три причины, по которым повышение степени интеграции интегральных схем является магистральным направлением развития радиоэлектроники?
увеличение надежности радиоэлеткронной аппаратуры

увеличение тепловой и радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры

уменьшение стоимости производства радиоэлектронной аппаратуры

уменьшение габаритов и массы радиоэлеткронной аппаратуры

Укажите, в каком соотношении должны находиться длина затвора L_З и длина канала L_КМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем для обеспечения максимального быстродействия транзисторов.
L_З<<L_К
L_З>L_К
L_З=L_К
L_З<L_К

Какие три проблемы необходимо решать при повышении степени интеграции интегральных схем?
проблему межслойных переходов
проблему уменьшения размеров элементов
проблему теплоотвода
проблему увеличения толщины подложки

Почему групповая технология производства значительно снижает стоимость интегральных схем по сравнению со схемами на дискретных элементах?
потому, что групповая технология увеличивает плотность упаковки элементов

потому, что групповая технология обеспечивает одинаковые температурные зависимости параметров интегральных элементов

потому, что групповая технология обеспечивает одинаковый разброс параметров элементов

потому, что каждая операция технологического цикла используется для создания одновременно большого числа интегральных элементов

Чем обеспечивается изоляция элементов гибридных интегральных схем друг от друга?
созданием специальных изолированных карманов для каждого элемента

корпусированием каждого элемента

высоким удельным сопротивлением диэлектрической подложки

обратно смещенным p-n-переходом

Каким конструктивно-технологическим приемом обеспечивается равенство длины затвора L_З и длины канала L_КМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем?
созданием самосовмещенного затвора

использованием поликремниевого затвора

использованием ионно-лучевой литографии

отбраковкой транзисторов, не удовлетворяющих указанному условию

Укажите два типа гибридных интегральных схем
изопланарные
тонкопленочные
эпитаксиально-планарные
толстопленочные

Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения он-лайн тестов за весь курс уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).

Тестирование в СДО СПБГУТ по разделам sdo.sut.ru
Электроника, Тест по разделу 1
Электроника, Тест 1 по разделу 2
Электроника, Тест 2 по разделу 2
Электроника, Тест 1 по разделу 3
Электроника, Тест 2 по разделу 3

Тест по разделу 1

1. Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.

2. Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по изопланарной технологии.

3. Каким конструктивно-технологическим приемом обеспечивается равенство длины затвора LЗ и длины канала LКМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем?
- использованием ионно-лучевой литографии
- использованием поликремниевого затвора
- созданием самосовмещенного затвора
- отбраковкой транзисторов, не удовлетворяющих указанному условию

4. Почему групповая технология производства значительно снижает стоимость интегральных схем по сравнению со схемами на дискретных элементах?
- потому, что групповая технология обеспечивает одинаковый разброс параметров элементов
- потому, что групповая технология обеспечивает одинаковые температурные зависимости параметров интегральных элементов
- потому, что каждая операция технологического цикла используется для создания одновременно большого числа интегральных элементов
- потому, что групповая технология увеличивает плотность упаковки элементов

5. Укажите два вида технологии, используемых для создания гибридных интегральных схем.
- транзисторная
- полупроводниковая
- пленочная
- нанотехнология

6. Какие три проблемы необходимо решать при повышении степени интеграции интегральных схем?
- проблему межслойных переходов
- проблему увеличения толщины подложки
- проблему теплоотвода
- проблему уменьшения размеров элементов

7. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?

8. Укажите два типа гибридных интегральных схем
- тонкопленочные
- эпитаксиально-планарные
- изопланарные
- толстопленочные

9. Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.

10. Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью обратно смещенного p-n-перехода.

11. Почему базовые биполярные транзисторы полупроводниковых интегральных схем называются вертикальными?
- потому, что электроны пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)
- потому, что скрытый n⁺-слой расположен ниже коллекторного эпитаксиального слоя
- потому, что коллекторный эпитаксиальный слой расположен на поверхности подложки
- потому, что дырки пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)

12. Укажите толщину пленок гибридных интегральных схем, соответствующую элементам тонкопленочных и толстопленочных схем.
- менее 0,01 мкм – для тонкопленочных схем
- менее 1 мкм – для тонкопленочных схем
- более 1 мкм – для толстопленочных схем
- более 100 мкм – для толстопленочных схем

13. Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного горизонтального p-n-p-транзистора.

14. Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
- цифровые
- гибридные
- аналоговые
- полупроводниковые

15. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом ионного легирования?

16. Укажите три недостатка интегральных конденсаторов
- малые размеры интегральных конденсаторов
- большое сопротивление нижней обкладки интегральных конденсаторов
- нелинейная зависимость ёмкости интегральных конденсаторов от приложенного напряжения
- низкая удельная емкость интегральных конденсаторов

17. Какой из перечисленных видов литографии используется наиболее широко?
- фотолитография
- рентгеновская литография
- электронно-лучевая литография
- ионно-лучевая литография

18. Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы?
- потому, что методы интегральной технологии не позволяют создавать конденсаторы емкостью более нескольких сотен пикофарад
- потому, что интегральные конденсаторы имеют большой температурный коэффициент емкости
- потому, что интегральные конденсаторы имеют ограниченный срок службы
- потому, что методы интегральной технологии не обеспечивают необходимую точность изготовления конденсаторов

19. Почему для обеспечения максимального быстродействия МДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем длина затвора LЗ и длина канала LК должны быть одинаковы?
- потому, что в этом случае длина канала оказывается минимальной
- потому, что в этом случае время пролета электронов через канал оказывается минимальным
- потому, что в этом случае емкости перекрытия затвор-исток и затвор-сток оказываются малыми при достаточно высокой крутизне
- потому, что в этом случае в канале возникает электрическое поле, ускоряющее электроны

20. Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки. 21. Какую важнейшую специфическую проблему необходимо решать при создании многослойных интегральных схем?
- проблему уменьшения размеров элементов
- проблему теплоотвода
- проблему межслойных переходов
- проблему изоляции слоев друг от друга

22. Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми?
- потому, что статические характеристики вертикальных транзисторов имеют значительный температурный дрейф
- потому, что границы между областями структуры вертикальных транзисторов дрейфуют в пространстве при изменении различных факторов
- потому, что в базе вертикальных транзисторов имеет место эффект насыщения дрейфовой скорости электронов
- потому, что электрическое поле, возникающее в базе из-за неравномерного распределения в ней примеси, ускоряет электроны, движущиеся через базу, т.е. придает им дрейфовую составляющую скорости

23. Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике.

24. Для чего в структурах базовых биполярных транзисторов, выполненных по эпитаксиально-планарной и изопланарной технологии, используется скрытый n⁺-слой?
- для снижения емкости коллекторного перехода
- для уменьшения объемного сопротивления коллектора
- для уменьшения сопротивления канала
- для изоляции транзистора от подложки

25. Укажите, в каком соотношении должны находиться длина затвора L_З и длина канала L_КМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем для обеспечения максимального быстродействия транзисторов.
- L_З ˃ L_К
- L_З = L_К
- L_З ˂ L_К
- L_З ˂˂ L_К

26. Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью?
- вакуумные интегральные схемы
- полупроводниковые интегральные схемы
- толстопленочные гибридные интегральные схемы
- тонкопленочные гибридные интегральные схемы

27. Укажите технологическую операцию, с помощью которой создается база вертикального биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем?
- эпитаксия
- диффузия
- травление
- фотолитография

28. Укажите две основные области применения гибридных интегральных схем.
- экстремальные климатические условия
- диапазон сверхвысоких частот (СВЧ)
- мощные устройства
- цифровая электроника

29. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом травления?

30. Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся конструктивно-технологическим исполнением.
- аналоговые
- цифровые
- гибридные
- полупроводниковые

31. Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупроводниковых интегральных схем.
- на основе p-n-перехода
- на основе диоксида кремния
- на основе поликристаллического кремния
- на основе структуры «металл-диэлектрик-полупроводник»

32. Укажите два основных преимущества вертикальных структур биполярных транзисторов полупроводниковых интегральных схем по сравнению с горизонтальными.
- более высокое пробивное напряжение
- более высокие усилительные свойства
- более высокое быстродействие
- более высокая температурная стойкость

33. Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)?
- K=lg(N+1)
- K=lnN
- K=ln(N+1)
- K=lgN

34. Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым?
- потому, что интегральные элементы расположены на общей подложке
- потому, что размеры интегральных элементов очень малы
- потому, что для создания интегральных элементов используется групповая технология
- потому, что интегральные элементы изолированы от подложки

35. Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.

36. Укажите различие между элементами и компонентами интегральных схем.
- элементы могут быть выделены как самостоятельное изделие, а компоненты – не могут
- элементы реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а компоненты – не реализуют
- компоненты реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а элементы – не реализуют
- компоненты могут быть выделены как самостоятельное изделие, а элементы – не могут

37. Укажите вариант диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, который позволяет обеспечить максимальное быстродействие диода.

38. Укажите рисунок, на котором представлена структура n-канального МДП-транзистора полупроводниковой интегральной схемы.

39. Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность?
- рентгеновская литография
- ионно-лучевая литография
- электронно-лучевая литография
- фотолитография

40. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом диффузии?

Тест 1 по разделу 2

1. Укажите составной p-n-р-транзистор, включенный по схеме Дарлингтона

2. Укажите составной транзистор по схеме Шиклаи, выполняющий функцию n-р-n-транзистора

3. Укажите формулу для входного сопротивления r_ВХ приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общей базой
- r_ВХ≈β+1
- r_ВХ≈α+1
- r_ВХ≈1/S
- r_ВХ≈β/S

4. Укажите формулу для коэффициента передачи по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе
- K_U→∞
- K_U≈-S∙R_C
- K_U=-S∙R_C/(1+S∙R_И)
- K_U≈1

5. Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе
- K_U→∞
- K_U≈-S∙R_C
- K_U=-S∙R_C/(1+S∙R_И)
- K_U≈-1

6. Укажите приближенную формулу коэффициента стабилизации тока К_СТ с помощью токозадающего резистора R₀.
- К_СТ≈2R₀/R_H
- К_СТ≈R_H/R₀
- К_СТ≈R_H/(R₀+R_H)
- К_СТ≈R₀/R_H

7. Укажите схему усилительного каскада с фиксированным током эмиттера

8. Укажите три схемы, обеспечивающие сдвиг потенциального уровня

9. Почему схема генератора стабильного тока типа «токовое зеркало» особенно эффективна в микроэлектронном исполнении?
- потому, что идентичны параметры транзисторов
- потому, что малы размеры элементов
- потому, что потребляется очень малый ток
- потому, что меньше значения пороговых напряжений транзисторов

10. Почему граничная частота n-p-n-транзистора выше граничной частоты p-n-p-транзистора?
- потому, что подвижность электронов выше подвижности дырок
- потому, что эффективная масса электронов больше эффективной массы дырок
- потому, что ширина базы n-p-n-транзистора больше ширины базы p-n-p-транзистора
- потому, что подвижность дырок выше подвижности электронов

11. Укажите формулу для коэффициента усиления по току KI приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общим коллектором
- K_I≈β+1
- K_I≈α∙β
- K_I≈S∙R_K
- K_I≈α+1

12. Укажите рабочую точку транзисторного генератора стабильного тока
- точка 3
- точка 2
- точка 4
- точка 1

13. Укажите формулу для коэффициента усиления по току K_I приведенной на рисунке схемы усилительного каскада с общей базой
- K_I≈β+1
- K_I≈α
- K_I≈β
- K_I≈α+1

14. Укажите схему усилительного каскада с динамической нагрузкой

15. Какую роль выполняет динамическая нагрузка в усилительном каскаде?
- роль реальной нагрузки (получателя сигнала)
- роль элемента, дифференцирующего сигнал
- роль высокоомного коллекторного (блокирующего)резистора
- роль схемы сдвига потенциального уровня

16. Укажите простейшую схему генератора стабильного тока на биполярном транзисторе.

17. Укажите формулу для коэффициента усиления по напряжению K_U приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе
- K_U→∞
- K_U≈-S∙R_C
- K_U=-S∙R_C/(1+S∙R_З2)
- K_U≈-1

18. Укажите формулу для входного сопротивления r_ВХ приведенного на рисунке усилительного каскада на МДП-транзисторе
- r_ВХ→1
- r_ВХ→0
- r_ВХ=R_C
- r_ВХ=R_З1||R_З2

19. Укажите причину накопления постоянной составляющей напряжения в многокаскадных усилителях с непосредственной связью между каскадами.
- нелинейность передаточной характеристики усилительных каскадов
- наличие напряжения переменного сигнала, добавляющегося к напряжению смещения
- для обеспечения активного режима потенциал коллектора n-p-n- транзистора в каждом каскаде должен быть больше, чем потенциал базы
- инерционность реальных усилительных каскадов

20. Укажите составной n-p-n-транзистор, включенный по схеме Дарлингтона

Тест 1 по разделу 3

1. Укажите причину, по которой достоверность информации, передаваемой с помощью цифровых сигналов выше, чем при использовании аналоговых
- при передаче цифровые сигналы искажаются меньше, чем аналоговые
- цифровые сигналы распространяются быстрее аналоговых
- цифровые сигналы по форме проще аналоговых
- искажения цифровых сигналов проще корректировать

2. Укажите основное преимущество цифровых телекоммуникационных систем по сравнению с аналоговыми
- более высокая достоверность передачи информации
- меньшая потребляемая мощность
- более высокий КПД
- меньшая сложность оборудования

3. Укажите три простейшие логические операции
- логическое деление
- логическое умножение (конъюнкция)
- логическое отрицание (инверсия)
- логическое сложение (дизъюнкция)

4. Какой параметр логического элемента называется коэффициентом разветвления по выходу?
- максимальное количество входов аналогичных логических элементов, которое может быть подключено к выходу данного логического элемента
- количество выходов логического элемента
- количество ветвей логического элемента
- количество независимых выходов логического элемента

5. Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию И-НЕ?

6. ак обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию И?

7. Укажите передаточную характеристику инвертирующих логических элементов

8. Укажите фрагмент логического элемента, выполняющий функцию И.

9. Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию ИЛИ?

10. Какие три параметра логических элементов считаются наиболее важными?
- количество выходов
- статический коэффициент помехоустойчивости
- среднее время задержки распространения сигнала
- средняя потребляемая мощность

11. Какую логическую функцию можно реализовать с помощью транзисторного ключа?
- ИЛИ (дизъюнкцию)
- И (конъюнкцию)
- функцию логического деления
- НЕ (инверсию)

12. Как обозначается на функциональных схемах логический элемент, реализующий операцию НЕ?

13. Сколько логических элементов И-НЕ необходимо для реализации логической функции ИЛИ-НЕ?
- четыре
- два
- один
- три

14. Укажите схему электронного ключа на полевом транзисторе

15. На каком уровне напряжений входного и выходного импульсов определяются времена задержки распространения сигнала при включении и выключении логического элемента?
- на уровне логической единицы
- на уровне логического перепада
- на уровне логического нуля
- на уровне половины логического перепада

16. Какие два уровня сигнала соответствующие логическим нулю и единице в положительной логике?
- логическому нулю - пороговый уровень переключения
- логическому нулю - низкий уровень сигнала или его отсутствие
- логической единице - высокий уровень сигнала
- логической единице - пороговый уровень переключения

17. Укажите два активных элемента, которые чаще всего используются в схемах электронных ключей
- биполярный транзистор
- полевой транзистор
- нелинейный конденсатор
- туннельный диод

18. Какая из приведенных на рисунках схем позволяет реализовать логическую функцию И-НЕ?

19. Укажите передаточную характеристику неинвертирующих логических элементов

20. Искажения при передаче каких сигналов (аналоговых или цифровых) корректируются более эффективно?
- цифровых
- аналоговых
- ни один из сигналов не поддаётся коррекции
- оба вида сигналов корректируются одинаково эффективно

Тест 2 по разделу 2

1. Укажите назначение генератора тока I₁ в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя.
- корректирует напряжение смещения операционного усилителя
- задает суммарный ток транзисторов VT1 и VT2 дифференциального усилительного каскада
- играет роль динамической нагрузки транзисторов VT1 и VT2
- используется для частотной коррекции операционного усилителя

2. Укажите схему, соответствующую подаче на вход операционного усилителя синфазного сигнала

3. Укажите формулу, связывающую U_вых и U_вх приведенного на рисунке устройства на основе операционного усилителя с глубокой отрицательной обратной связью.
- U_вых=-1/RC ∫U_вхdt
- U_вых=1/RC ∫U_вхdt
- U_вых=-RCdU_вх/dt
- U_вых=RCdU_вх/dt

4. Укажите приближенное выражение для коэффициента усиления дифференциального сигнала K_U простейшего дифференциального усилительного каскада c однофазным выходом

5. Почему дифференциальный усилительный каскад эффективно усиливает дифференциальный сигнал и в то же время ослабляет синфазный?
- дифференциальный и синфазный сигналы усиливаются одинаково эффективно
- синфазный сигнал вызывает ограничение токов дифференциального усилителя и не усиливается
- синфазный сигнал не попадает в рабочую полосу частот усилителя
- дифференциальный сигнал не создает падения напряжения на токозадающем резисторе, обеспечивающем отрицательную обратную связь для синфазного сигнала

6. Укажите назначение транзистора VT3 в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя.
- на его основе построен повторитель напряжения
- на его основе построен дифференциальный усилительный каскад
- на его основе построен усилитель напряжения
- на его основе создаются смещения на базах транзисторов VT4 и VT5

7. Укажите упрощенную схему двухтактного повторителя напряжения

8. Какое напряжение называется напряжением смещения U_см операционного усилителя?
- выходное напряжение, при котором синфазное входное напряжение равно нулю
- дифференциальное входное напряжение, при котором выходноенапряжение равно нулю
- синфазное входное напряжение, при котором выходноенапряжение равно нулю
- дифференциальное входное напряжение, при котором выходное напряжение равно положительному напряжению источника питания

9. Укажите две схемы, соответствующие подаче на вход операционного усилителя дифференциального сигнала

10. Укажите функцию, которую реализует приведенная на рисунке схема на основе операционного усилителя
- дифференцирование с инверсией
- интегрирование с инверсией
- усиление с инверсией
- усиление без инверсии

11. Укажите вывод, соответствующий инвертирующему входу операционного усилителя.
- вывод 5
- вывод 3
- вывод 6
- вывод 1

12. Укажите назначение транзисторов VT1 и VT2 в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя.
- на их основе создаются смещения на базах транзисторов VT4 и VT5
- на их основе построен усилитель напряжения
- на их основе построен повторитель напряжения
- на их основе построен дифференциальный усилительный каскад

13. Какую роль играют диоды в приведенной на рисунке схеме повторителя напряжения?
- повышают радиационную стойкость каскада
- уменьшают входное сопротивление каскада
- уменьшают нелинейные искажения выходного напряжения каскада
- расширяют полосу усиливаемых частот каскада

14. Укажите два назначения генератора тока I₂ в схеме приведенного на рисунке операционного усилителя
- задает токи базы транзисторов VT4 и VT5
- создает напряжение смещения U* на диодах VD1 и VD2
- играет роль динамической нагрузки транзистора VT3
- обеспечивает термостабилизацию операционного усилителя

15. Почему операционный усилитель должен иметь большой коэффициент усиления дифференциального сигнала?
- для обеспечения приемлемого усиления в схемах с глубокой отрицательной обратной связью
- для увеличения ширины полосы пропускания операционного усилителя
- для обеспечения возможности использования положительной обратной связи
- для устранения самовозбуждения операционного усилителя

16. Укажите схему инвертирующего усилителя на основе операционного усилителя

17. На передаточной характеристике операционного усилителя укажите участок, соответствующий напряжению смещения U_см.
- участок 1
- участок 3
- участок 4
- участок 2

18. Укажите функцию, которую реализует приведенная на рисунке схема на основе операционного усилителя
- усиление без инверсии
- дифференцирование с инверсией
- интегрирование с инверсией
- усиление с инверсией

19. Укажите вывод, соответствующий неинвертирующему входу операционного усилителя.
- вывод 2
- вывод 3
- вывод 5
- вывод 1

20. Укажите простейшую схему дифференциального усилительного каскада на биполярных транзисторах.

Тест 2 по разделу 3

1. Почему логические элементы КМОП ТЛ отличаются высокой экономичностью?
- потому что стоки транзисторов соединены вместе
- потому, что использованы полевые транзисторы
- потому что схема содержит мало элементов
- потому что в статическом режиме через транзисторы не протекает ток

2. К какому типу логики относится базовый логический элемент, схема которого приведена на рисунке?
- транзисторно-транзисторная логика
- интегральная инжекционная логика
- эмиттерно-связанная логика
- диодно-транзисторная логика

3. Укажите три типа логики, в базовых логических элементах которых используются полупроводниковые диоды?
- эмиттерно-связанная логика
- транзисторно-транзисторная логика
- интегральная инжекционная логика
- диодно-транзисторная логика

4. Укажите схему базового логического элемента интегральной инжекционной логики (И²Л)

5. Базовые логические элементы какого типа логики имеют самую низкую экономичность?
- ДТЛ Неверно
- ЭСЛ
- И²Л
- КМОП ТЛ

6. Какую функцию выполняет диод VD в работе логического элемента, схема которого приведена на рисунке?
- обеспечивает закрытое состояние транзистора VТ3 при открытых транзисторах VТ2 и VТ4
- увеличивает логический перепад
- увеличивает быстродействие
- увеличивает потребляемую мощность

7. К какому типу логики относится базовый логический элемент, схема которого приведена на рисунке?
- интегральная инжекционная логика
- эмиттерно-связанная логика
- диодно-транзисторная логика
- транзисторно-транзисторная логика

8. Укажите три причины, по которым на выходах базового логического элемента ЭСЛ установлены эмиттерные повторители
- ля повышения нагрузочной способности ЛЭ - для повышения быстродействия
- для сдвига уровня выходного напряжения (для согласования уровней выходного напряжения данного и входного напряжения следующего логического элемента)
- для увеличения выходного сопротивления

9. Укажите к какому типу логики относится логический элемент, схема которого приведена на рисунке?
- транзисторно-транзисторная логика
- эмиттерно-связанная логика
- диодно-транзисторная логика
- интегральная инжекционная логика

10. Укажите причину, по которой помехоустойчивость логических элементов ЭСЛ оказывается ниже по сравнению с другими логическими элементами
- сложная схема логического элемента
- уменьшенный логический перепад сигналов
- более высокая мощность, потребляемая логическим элементом
- большое количество транзисторов

11. Укажите три основных недостатка базового логического элемента эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ)
- большое количество резисторов
- большое потребление энергии
- низкое быстродействие
- сложная схемотехника

12. Укажите логическую функцию, которую выполняет базовый логический элемент, схема которого приведена на рисунке
- И-ИЛИ-НЕ
- ИЛИ
- И-НЕ
- И

13. Укажите схему базового логического элемента эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ)

14. Укажите схему электронного ключа на однотипных МДП-транзисторах

15. Укажите причину высокой нагрузочной способности базового логического элемента ЭСЛ
- работа транзисторов в активном (линейном) режиме, без захода в режим насыщения
- повышенное напряжение питания
- наличие на выходах логического элемента эмиттерных повторителей
- более высокая потребляемая мощность

16. Укажите три основных достоинства интегральной инжекционной логики (И²Л)по сравнению с другими типами логики
- низкое напряжение питания
- высокая степень интеграции
- высокий уровень инжекции
- экономичность

17. Какую функцию выполняют транзистор Т1 и резистор R2 в работе базового логического элемента, схема которого приведена на рисунке?
- реализуют схему электронного ключа, выполняющего логическую функцию НЕ
- препятствуют прохождению входных сигналов на выход логического элемента
- выполняют функцию И
- согласуют входные и выходные уровни сигналов

18. Какие две логические функции выполняет базовый логический элемент эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) по разным выходам (Y1 и Y2)
- И-НЕ
- И-ИЛИ-НЕ
- ИЛИ-НЕ
- ИЛИ

19. Укажите назначение транзисторов VT2, VT3, VT4 в схеме базового логического элемента интегральной инжекционной логики (И²Л)
- усиливают логические сигналы, поступающие на входы ЛЭ
- реализуют функцию ИЛИ-НЕ
- повышают быстродействие логического элемента
- защищают транзистор VT1 от перегрузки

20. Какую логическую функцию реализует логический элемент, схема которого приведена на рисунке?
- ИЛИ-НЕ
- ИЛИ
- И
- И-НЕ