Выполняем тестирование он-лайн для студентов Университета Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича по Электронике.
Стоимость прохождения он-лайн тестов за весь курс уточняйте при заказе (присылаете логин и пароль от личного кабинета, мы сообщим Вам стоимость).
Тестирование в СДО СПБГУТ по разделам sdo.sut.ru
Электроника, Тест по разделу 1
Электроника, Тест 1 по разделу 2
Электроника, Тест 2 по разделу 2
Электроника, Тест 1 по разделу 3
Электроника, Тест 2 по разделу 3
Тест по разделу 1
1. Укажите рисунок, на котором представлена структура комплементарной пары МДП-транзисторов полупроводниковой интегральной схемы.
2. Укажите рисунок, на котором представлена структура базового биполярного транзистора полупроводниковой интегральной схемы, изготовленного по изопланарной технологии.
3. Каким конструктивно-технологическим приемом обеспечивается равенство длины затвора LЗ и длины канала LКМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем?
- использованием ионно-лучевой литографии
- использованием поликремниевого затвора
- созданием самосовмещенного затвора
- отбраковкой транзисторов, не удовлетворяющих указанному условию
4. Почему групповая технология производства значительно снижает стоимость интегральных схем по сравнению со схемами на дискретных элементах?
- потому, что групповая технология обеспечивает одинаковый разброс параметров элементов
- потому, что групповая технология обеспечивает одинаковые температурные зависимости параметров интегральных элементов
- потому, что каждая операция технологического цикла используется для создания одновременно большого числа интегральных элементов
- потому, что групповая технология увеличивает плотность упаковки элементов
5. Укажите два вида технологии, используемых для создания гибридных интегральных схем.
- транзисторная
- полупроводниковая
- пленочная
- нанотехнология
6. Какие три проблемы необходимо решать при повышении степени интеграции интегральных схем?
- проблему межслойных переходов
- проблему увеличения толщины подложки
- проблему теплоотвода
- проблему уменьшения размеров элементов
7. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом эпитаксии?
8. Укажите два типа гибридных интегральных схем
- тонкопленочные
- эпитаксиально-планарные
- изопланарные
- толстопленочные
9. Укажите рисунок, на котором представлена структура многоэмиттерного биполярного транзистора.
10. Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью обратно смещенного p-n-перехода.
11. Почему базовые биполярные транзисторы полупроводниковых интегральных схем называются вертикальными?
- потому, что электроны пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)
- потому, что скрытый n+-слой расположен ниже коллекторного эпитаксиального слоя
- потому, что коллекторный эпитаксиальный слой расположен на поверхности подложки
- потому, что дырки пересекают базу и переходы транзистора вертикально (перпендикулярно плоскости подложки)
12. Укажите толщину пленок гибридных интегральных схем, соответствующую элементам тонкопленочных и толстопленочных схем.
- менее 0,01 мкм – для тонкопленочных схем
- менее 1 мкм – для тонкопленочных схем
- более 1 мкм – для толстопленочных схем
- более 100 мкм – для толстопленочных схем
13. Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного горизонтального p-n-p-транзистора.
14. Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся функциональным назначением (сигналами, которые они преобразуют)
- цифровые
- гибридные
- аналоговые
- полупроводниковые
15. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом ионного легирования?
16. Укажите три недостатка интегральных конденсаторов
- малые размеры интегральных конденсаторов
- большое сопротивление нижней обкладки интегральных конденсаторов
- нелинейная зависимость ёмкости интегральных конденсаторов от приложенного напряжения
- низкая удельная емкость интегральных конденсаторов
17. Какой из перечисленных видов литографии используется наиболее широко?
- фотолитография
- рентгеновская литография
- электронно-лучевая литография
- ионно-лучевая литография
18. Почему в интегральных схемах редко используются конденсаторы?
- потому, что методы интегральной технологии не позволяют создавать конденсаторы емкостью более нескольких сотен пикофарад
- потому, что интегральные конденсаторы имеют большой температурный коэффициент емкости
- потому, что интегральные конденсаторы имеют ограниченный срок службы
- потому, что методы интегральной технологии не обеспечивают необходимую точность изготовления конденсаторов
19. Почему для обеспечения максимального быстродействия МДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем длина затвора LЗ и длина канала LК должны быть одинаковы?
- потому, что в этом случае длина канала оказывается минимальной
- потому, что в этом случае время пролета электронов через канал оказывается минимальным
- потому, что в этом случае емкости перекрытия затвор-исток и затвор-сток оказываются малыми при достаточно высокой крутизне
- потому, что в этом случае в канале возникает электрическое поле, ускоряющее электроны
20. Укажите рисунок, на котором представлена структура биполярного транзистора с диодом Шоттки.
21. Какую важнейшую специфическую проблему необходимо решать при создании многослойных интегральных схем?
- проблему уменьшения размеров элементов
- проблему теплоотвода
- проблему межслойных переходов
- проблему изоляции слоев друг от друга
22. Почему вертикальные биполярные транзисторы называются дрейфовыми?
- потому, что статические характеристики вертикальных транзисторов имеют значительный температурный дрейф
- потому, что границы между областями структуры вертикальных транзисторов дрейфуют в пространстве при изменении различных факторов
- потому, что в базе вертикальных транзисторов имеет место эффект насыщения дрейфовой скорости электронов
- потому, что электрическое поле, возникающее в базе из-за неравномерного распределения в ней примеси, ускоряет электроны, движущиеся через базу, т.е. придает им дрейфовую составляющую скорости
23. Укажите рисунок, на котором показана изоляция элементов полупроводниковых интегральных схем с помощью структуры кремний на диэлектрике.
24. Для чего в структурах базовых биполярных транзисторов, выполненных по эпитаксиально-планарной и изопланарной технологии, используется скрытый n+-слой?
- для снижения емкости коллекторного перехода
- для уменьшения объемного сопротивления коллектора
- для уменьшения сопротивления канала
- для изоляции транзистора от подложки
25.
Укажите, в каком соотношении должны находиться длина затвора LЗ и длина канала LКМДП-транзисторов полупроводниковых интегральных схем для обеспечения максимального быстродействия транзисторов.
- LЗ ˃ LК
- LЗ = LК
- LЗ ˂ LК
- LЗ ˂˂ LК
26. Какой из указанных типов интегральных схем обладает наибольшей радиационной стойкостью?
- вакуумные интегральные схемы
- полупроводниковые интегральные схемы
- толстопленочные гибридные интегральные схемы
- тонкопленочные гибридные интегральные схемы
27. Укажите технологическую операцию, с помощью которой создается база вертикального биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем?
- эпитаксия
- диффузия
- травление
- фотолитография
28. Укажите две основные области применения гибридных интегральных схем.
- экстремальные климатические условия
- диапазон сверхвысоких частот (СВЧ)
- мощные устройства
- цифровая электроника
29. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом травления?
30. Укажите два основных класса интегральных схем, различающиеся конструктивно-технологическим исполнением.
- аналоговые
- цифровые
- гибридные
- полупроводниковые
31. Укажите два возможных варианта создания конденсаторов полупроводниковых интегральных схем.
- на основе p-n-перехода
- на основе диоксида кремния
- на основе поликристаллического кремния
- на основе структуры «металл-диэлектрик-полупроводник»
32. Укажите два основных преимущества вертикальных структур биполярных транзисторов полупроводниковых интегральных схем по сравнению с горизонтальными.
- более высокое пробивное напряжение
- более высокие усилительные свойства
- более высокое быстродействие
- более высокая температурная стойкость
33. Укажите формулу для коэффициента K, определяющего степень интеграции интегральных схем (N – количество элементов и компонентов на подложке интегральной схемы)?
- K=lg(N+1)
- K=lnN
- K=ln(N+1)
- K=lgN
34. Почему технологический разброс параметров однотипных элементов интегральных схем оказывается одинаковым?
- потому, что интегральные элементы расположены на общей подложке
- потому, что размеры интегральных элементов очень малы
- потому, что для создания интегральных элементов используется групповая технология
- потому, что интегральные элементы изолированы от подложки
35. Укажите рисунок, на котором представлена структура многоколлекторного биполярного транзистора.
36. Укажите различие между элементами и компонентами интегральных схем.
- элементы могут быть выделены как самостоятельное изделие, а компоненты – не могут
- элементы реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а компоненты – не реализуют
- компоненты реализуют функцию какого-либо электрорадиоэлемента, а элементы – не реализуют
- компоненты могут быть выделены как самостоятельное изделие, а элементы – не могут
37. Укажите вариант диодного включения базового биполярного транзистора полупроводниковых интегральных схем, который позволяет обеспечить максимальное быстродействие диода.
38. Укажите рисунок, на котором представлена структура n-канального МДП-транзистора полупроводниковой интегральной схемы.
39. Какой из перечисленных вариантов литографии позволяет получить наиболее высокую разрешающую способность?
- рентгеновская литография
- ионно-лучевая литография
- электронно-лучевая литография
- фотолитография
40. Укажите рисунок, на котором представлен фрагмент структуры полупроводниковой интегральной схемы, являющийся результатом диффузии?
WhatsApp: +79119522521
Telegram: +79119522521