Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Физические основы электроники

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)

Вариант 01

Задание 1
Задача 1.1

В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет N_д = 10¹⁶ см^-3, Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов n_n и p_n и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны Е_Fn - E_i
Исходные данные:
Материал полупроводника - GaAs.

Задание 2
Задача 2.3

Контактная разность потенциалов в резком p-n-переходе φ_к0 = 0,7 В. Удельная электрическая проводимость p-области σ_р = 1 См/см, Т = 300 К. Определить ширину перехода Δ₀ и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях Δ_n/Δ_p.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Диф. длина электронов L_n = 0,017 см
Диф. длина дырок L_р = 0,01 см
Площадь перехода S = 0,001 см²
Подвижность дырок μ_p = 1900 см²/В·с
Собственная концентрация носителей заряда n_i = 2,4·10¹³

Задание 3
Задача 3.1

Биполярный транзистор n-p-n структуры включен по схеме ОЭ имеет параметры:
сквозной тепловой ток I₀ = 10^-14 А
коэффициент передачи тока базы β = 150
инверсный коэффициент передачи тока базы β₁ = 3.
Заданы напряжения между электродами U_БЭ = 0,75 В, U_КЭ = 0,70 В.
Определить в каком режиме работает транзистор.
Рассчитать токи в цепях эмиттера i_э , коллектора i_к и базы i_б.
Рассчитать токи i_э, i_к и i_б при увеличении напряжения U_бэ на 50 мВ.

Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Электроника