Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр
Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)
Вариант 19
Задание 1 Задача 1.2
В полупроводнике n-типа уровень Ферми ЕFn расположен на 0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Еi. Т = 300 К.
Определить концентрации основных и неосновных носителей заряда nn и pn. Исходные данные:
Материал полупроводника – Gе
Задание 2 Задача 2.8
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД = 1018 см-3 и NА = 1016 см-3. Площадь перехода равна S, время жизни неравновесных электронов τ n = 10-6 с, Т = 300 К.
Определит обратный тепловой ток перехода I0, дифференциальное сопротивление rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе i = 10 мА. Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов Ln= 0,030 см
Диф. длина дырок Lр= 0,02 см
Площадь перехода S = 0,002 см2
Задание 3 Задача 3.2
Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I0, коэффициент передачи тока базы β. Задано напряжение Uкэ.
Рассчитать и построить на графике входную iб = f (Uбэ) и управляющую iк = f (Uбэ ) характеристики транзистора. Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uбэ, соответствующем изменению тока iк = 0…20 мА. Исходные данные:
Тепловой ток I0 = 1,2·10-13 А
Коэффициенты передачи тока базы β = 70
Напряжение между электродами UКЭ = 12,0 В