Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им проф. М.А.Бонч-Бруевича

Физические основы электроники

Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
Контрольное задание
и методические указания к его выполнению
для студентов заочной формы обучения
Основная профессиональная образовательная программа
210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
Квалификация бакалавр

Стоимость выполнения контрольной работы по физическим основам электроники составляет ... руб.
Контрольное задание состоит из трех частей (трех самостоятельных заданий)

Вариант 20

Задание 1
Задача 1.9

Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, τ_n = 10^-6 с.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов за время t после выключения внешнего воздействия Δn(t)/Δn(0)
Исходные данные:
Материал полупроводника – Ge
Время t = 2·10^-6 c

Задание 2
Задача 2.7

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны N_Д = 10¹⁷ см^-3 и N_А = 10¹⁴ см^-3. Площадь перехода равна S, Т = 300 К.
Определит обратный тепловой ток перехода I₀, барьерную емкость перехода С_б при подаче на переход обратного напряжения u = 5 В.
Исходные данные:
Материал полупроводника – Si
Диф. длина электронов L_n = 0,045 см
Диф. длина дырок L_р = 0,03 см
Площадь перехода S = 0,001 см²

Задание 3
Задача 3.5

Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры:
удельная крутизна b, пороговое напряжение U_пор. Задано напряжение U_си.
Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора i_с = f(U_зи). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения U_зи, соответствующем изменению тока i_с = 0…20 мА.
Исходные данные:
Удельная крутизна b = 11 мА/В²
Пороговое напряжение U _пор = 6,0 В
Напряжение между электродами U _СИ = 9,0 В

Другие предметы, которые могут Вас заинтересовать:

Электроника